Domov > Izdelki > Circuit Protection > TVS - Diode > JAN1N5555
Zahtevaj ponudbo
Slovenija
4075644

JAN1N5555

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    JAN1N5555
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Vsebuje neusklajeno vodilo / RoHS
  • Podatkovni listi
  • ECAD model
  • Napetost - povratni odklop (tip)
    30.5V
  • Voltage - Clamping (Max) @ Ipp
    47.5V
  • Napetost - razčlenitev (min)
    33V
  • Enosmerni kanali
    1
  • Tip
    Zener
  • Paket naprave za dobavitelja
    DO-13 (DO-202AA)
  • Serija
    Military, MIL-PRF-19500/500
  • Zaščita električnega voda
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Pakiranje
    Bulk
  • Paket / primer
    DO-13
  • Druga imena
    1086-15757
    1086-15757-MIL
  • delovna temperatura
    -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tok - Peak Pulse (10 / 1000μs)
    32A
  • Zmogljivost @ Pogostost
    -
  • Aplikacije
    General Purpose
JAN1N5616

JAN1N5616

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5551US

JAN1N5551US

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5554

JAN1N5554

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5553US

JAN1N5553US

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5556

JAN1N5556

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5612

JAN1N5612

Opis: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5611

JAN1N5611

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5550US

JAN1N5550US

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
JAN1N5558

JAN1N5558

Opis: TVS DIODE 175V 265V DO13

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5554US

JAN1N5554US

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5553

JAN1N5553

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5552US

JAN1N5552US

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
JAN1N5551

JAN1N5551

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5552

JAN1N5552

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5614

JAN1N5614

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5615

JAN1N5615

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
JAN1N5610

JAN1N5610

Opis: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5550

JAN1N5550

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5615US

JAN1N5615US

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5614US

JAN1N5614US

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi

Review (1)

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod