Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Diode - Rectifiers - Posamezni > JAN1N5552US
Zahtevaj ponudbo
Slovenija
2758676JAN1N5552US image.Microsemi Corporation

JAN1N5552US

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
100+
$13.707
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    JAN1N5552US
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Vsebuje neusklajeno vodilo / RoHS
  • Podatkovni listi
  • ECAD model
  • Voltage - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Napetost - naprej (Vf) (Max) @ Če
    3A
  • Napetost - razčlenitev
    D-5B
  • Serija
    Military, MIL-PRF-19500/420
  • RoHS Status
    Bulk
  • Povratni čas obnovitve (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Odpornost @ Če, F
    -
  • Polarizacija
    SQ-MELF, B
  • Druga imena
    1086-19414
    1086-19414-MIL
  • Delovna temperatura - spoj
    2µs
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    8 Weeks
  • Številka izdelka proizvajalca
    JAN1N5552US
  • Razširjen opis
    Diode Standard 600V 3A Surface Mount D-5B
  • Konfiguracija diode
    1µA @ 600V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF
  • Trenutna - povratna puščanja @ Vr
    1.2V @ 9A
  • Tok - Povprečna napetost (Io) (na diodo)
    600V
  • Capacitance @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C
JAN1N5550

JAN1N5550

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5610

JAN1N5610

Opis: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5612

JAN1N5612

Opis: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5553

JAN1N5553

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5556

JAN1N5556

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5546C-1

JAN1N5546C-1

Opis: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5552

JAN1N5552

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5554

JAN1N5554

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5551

JAN1N5551

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5550US

JAN1N5550US

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
JAN1N5546DUR-1

JAN1N5546DUR-1

Opis: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5546CUR-1

JAN1N5546CUR-1

Opis: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5546BUR-1

JAN1N5546BUR-1

Opis: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
JAN1N5611

JAN1N5611

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5553US

JAN1N5553US

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5554US

JAN1N5554US

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5558

JAN1N5558

Opis: TVS DIODE 175V 265V DO13

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5555

JAN1N5555

Opis: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5551US

JAN1N5551US

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5546D-1

JAN1N5546D-1

Opis: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi

Review (1)

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod