Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > APT6M100K
Zahtevaj ponudbo
Slovenija
5038407

APT6M100K

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    APT6M100K
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
  • ECAD model
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    TO-220 [K]
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.5 Ohm @ 3A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    225W (Tc)
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-220-3
  • Druga imena
    APT6M100KMI
    APT6M100KMI-ND
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    1410pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    43nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    1000V
  • natančen opis
    N-Channel 1000V 6A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)
APT68GA60B

APT68GA60B

Opis: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT65GP60B2G

APT65GP60B2G

Opis: IGBT 600V 100A 833W TMAX

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT70SM70J

APT70SM70J

Opis: POWER MOSFET - SIC

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40

Opis: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT70GR120B2

APT70GR120B2

Opis: IGBT 1200V 160A 961W TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT70GR120JD60

APT70GR120JD60

Opis: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT65GP60J

APT65GP60J

Opis: IGBT 600V 130A 431W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT70GR65B

APT70GR65B

Opis: IGBT 650V 134A 595W TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT70SM70B

APT70SM70B

Opis: POWER MOSFET - SIC

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT70GR120L

APT70GR120L

Opis: IGBT 1200V 160A 961W TO264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT66F60L

APT66F60L

Opis: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

Opis: IGBT 600V 198A 833W TO264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT66F60B2

APT66F60B2

Opis: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT70SM70S

APT70SM70S

Opis: POWER MOSFET - SIC

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT68GA60LD40

APT68GA60LD40

Opis: IGBT 600V 121A 520W TO-264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT70GR120J

APT70GR120J

Opis: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT70GR65B2SCD30

APT70GR65B2SCD30

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT66M60L

APT66M60L

Opis: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT70GR65B2DU40

APT70GR65B2DU40

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT66M60B2

APT66M60B2

Opis: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi

Review (1)

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod