Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - IGBT - Posamezni > APT65GP60L2DQ2G
Zahtevaj ponudbo
Slovenija
3607490APT65GP60L2DQ2G image.Microsemi

APT65GP60L2DQ2G

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
25+
$18.899
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    APT65GP60L2DQ2G
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    IGBT 600V 198A 833W TO264
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
  • ECAD model
  • Napetost - razčlenitev kolektorjev kolektorja (maks.)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 65A
  • Test Condition
    400V, 65A, 5 Ohm, 15V
  • Td (vklop / izklop) @ 25 ° C
    30ns/90ns
  • Preklop energije
    605µJ (on), 895µJ (off)
  • Serija
    POWER MOS 7®
  • Moč - maks
    833W
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-264-3, TO-264AA
  • Druga imena
    APT65GP60L2DQ2GMI
    APT65GP60L2DQ2GMI-ND
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vrsta vnosa
    Standard
  • Vrsta IGBT
    PT
  • Gate Charge
    210nC
  • natančen opis
    IGBT PT 600V 198A 833W Through Hole
  • Trenutni - impulzni kolektor (Icm)
    250A
  • Tok - zbiralec (Ic) (maks.)
    198A
APT60S20SG/TR

APT60S20SG/TR

Opis: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40

Opis: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT6M100K

APT6M100K

Opis: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT68GA60B

APT68GA60B

Opis: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT70GR120J

APT70GR120J

Opis: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT64GA90B

APT64GA90B

Opis: IGBT 900V 117A 500W TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT66M60L

APT66M60L

Opis: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT68GA60LD40

APT68GA60LD40

Opis: IGBT 600V 121A 520W TO-264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT66F60B2

APT66F60B2

Opis: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT70GR120B2

APT70GR120B2

Opis: IGBT 1200V 160A 961W TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT60N60SCSG/TR

APT60N60SCSG/TR

Opis: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT66F60L

APT66F60L

Opis: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT60S20BG

APT60S20BG

Opis: DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT60S20SG

APT60S20SG

Opis: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
APT60S20B2CTG

APT60S20B2CTG

Opis: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT66M60B2

APT66M60B2

Opis: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT64GA90LD30

APT64GA90LD30

Opis: IGBT 900V 117A 500W TO-264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT64GA90B2D30

APT64GA90B2D30

Opis: IGBT 900V 117A 500W TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT65GP60J

APT65GP60J

Opis: IGBT 600V 130A 431W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT65GP60B2G

APT65GP60B2G

Opis: IGBT 600V 100A 833W TMAX

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi

Review (1)

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod