Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - IGBT - moduli > APT150GN60JDQ4
Zahtevaj ponudbo
Slovenija
6736017APT150GN60JDQ4 image.Microsemi

APT150GN60JDQ4

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$35.90
10+
$33.211
30+
$30.518
100+
$28.364
250+
$26.03
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    APT150GN60JDQ4
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    IGBT 600V 220A 536W SOT227
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
  • ECAD model
  • Napetost - razčlenitev kolektorjev kolektorja (maks.)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    1.85V @ 15V, 150A
  • Paket naprave za dobavitelja
    ISOTOP®
  • Serija
    -
  • Moč - maks
    536W
  • Paket / primer
    ISOTOP
  • Druga imena
    APT150GN60JDQ4MI
    APT150GN60JDQ4MI-ND
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • NTC termistor
    No
  • Tip montaže
    Chassis Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    32 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Cies) @ Vce
    9.2nF @ 25V
  • Vnos
    Standard
  • Vrsta IGBT
    Trench Field Stop
  • natančen opis
    IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 220A 536W Chassis Mount ISOTOP®
  • Tok - odklop zbiralnika (maks.)
    50µA
  • Tok - zbiralec (Ic) (maks.)
    220A
  • Konfiguracija
    Single
APT150GN120JDQ4

APT150GN120JDQ4

Opis: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT15D120BG

APT15D120BG

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
APT150GN120J

APT150GN120J

Opis: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT150GT120JR

APT150GT120JR

Opis: IGBT 1200V 170A 830W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT150GN60B2G

APT150GN60B2G

Opis: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT15D100BCTG

APT15D100BCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT14M120B

APT14M120B

Opis: MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT15D120BCTG

APT15D120BCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT14M100B

APT14M100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT14F100S

APT14F100S

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT15D100BG

APT15D100BG

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT15D120KG

APT15D120KG

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT14F100B

APT14F100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT15D30KG

APT15D30KG

Opis: DIODE GEN PURP 300V 15A TO220-2

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
APT150GN60J

APT150GN60J

Opis: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT15D100KG

APT15D100KG

Opis:

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT15D100BHBG

APT15D100BHBG

Opis: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT14M100S

APT14M100S

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT150GN60LDQ4G

APT150GN60LDQ4G

Opis: IGBT 600V 220A 536W TO-264L

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT14050JVFR

APT14050JVFR

Opis: MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi

Review (1)

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod