Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - IGBT - Posamezni > APT150GN60B2G
Zahtevaj ponudbo
Slovenija
5550007APT150GN60B2G image.Microsemi

APT150GN60B2G

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
30+
$17.911
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    APT150GN60B2G
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    IGBT 600V 220A 536W SOT227
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
  • ECAD model
  • Napetost - razčlenitev kolektorjev kolektorja (maks.)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    1.85V @ 15V, 150A
  • Test Condition
    400V, 150A, 1 Ohm, 15V
  • Td (vklop / izklop) @ 25 ° C
    44ns/430ns
  • Preklop energije
    8.81mJ (on), 4.295mJ (off)
  • Serija
    -
  • Moč - maks
    536W
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-247-3 Variant
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    18 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vrsta vnosa
    Standard
  • Vrsta IGBT
    Trench Field Stop
  • Gate Charge
    970nC
  • natančen opis
    IGBT Trench Field Stop 600V 220A 536W Through Hole
  • Trenutni - impulzni kolektor (Icm)
    450A
  • Tok - zbiralec (Ic) (maks.)
    220A
APT13GP120KG

APT13GP120KG

Opis: IGBT 1200V 41A 250W TO220

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT150GT120JR

APT150GT120JR

Opis: IGBT 1200V 170A 830W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT14F100S

APT14F100S

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT14M100S

APT14M100S

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT14050JVFR

APT14050JVFR

Opis: MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT15D100KG

APT15D100KG

Opis:

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT15D100BG

APT15D100BG

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT14M100B

APT14M100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT14F100B

APT14F100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT150GN120J

APT150GN120J

Opis: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT150GN60JDQ4

APT150GN60JDQ4

Opis: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT14M120B

APT14M120B

Opis: MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT15D120BG

APT15D120BG

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
APT150GN60J

APT150GN60J

Opis: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT150GN120JDQ4

APT150GN120JDQ4

Opis: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT15D120BCTG

APT15D120BCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT15D100BHBG

APT15D100BHBG

Opis: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT15D100BCTG

APT15D100BCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT13GP120BG

APT13GP120BG

Opis: IGBT 1200V 41A 250W TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT150GN60LDQ4G

APT150GN60LDQ4G

Opis: IGBT 600V 220A 536W TO-264L

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi

Review (1)

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod