Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Diode - Rectifiers - Posamezni > JAN1N5809
Zahtevaj ponudbo
Slovenija
5453979

JAN1N5809

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
100+
$9.724
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    JAN1N5809
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Vsebuje neusklajeno vodilo / RoHS
  • Podatkovni listi
  • ECAD model
  • Napetost - naprej (Vf) (Max) @ Če
    875mV @ 4A
  • Napetost - DC vzvratno (Vr) (maks.)
    100V
  • Hitrost
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serija
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Povratni čas obnovitve (trr)
    30ns
  • Pakiranje
    Bulk
  • Paket / primer
    B, Axial
  • Druga imena
    1086-2124
    1086-2124-MIL
  • Delovna temperatura - spoj
    -65°C ~ 175°C
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    8 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tip diode
    Standard
  • natančen opis
    Diode Standard 100V 6A Through Hole
  • Trenutna - povratna puščanja @ Vr
    5µA @ 100V
  • Tok - Povprečni popravek (Io)
    6A
  • Capacitance @ Vr, F
    60pF @ 10V, 1MHz
JAN1N5811

JAN1N5811

Opis: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5806US

JAN1N5806US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5819-1

JAN1N5819-1

Opis: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5811URS

JAN1N5811URS

Opis: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5807US

JAN1N5807US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5816

JAN1N5816

Opis: DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
JAN1N5804US

JAN1N5804US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5806

JAN1N5806

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

Opis: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5807

JAN1N5807

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5814

JAN1N5814

Opis: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5804

JAN1N5804

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5811US

JAN1N5811US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5809US

JAN1N5809US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5819UR-1/TR

JAN1N5819UR-1/TR

Opis: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5819UR-1

JAN1N5819UR-1

Opis: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5802US

JAN1N5802US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi

Review (1)

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod