Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Diode - Rectifiers - Posamezni > JAN1N5618
Zahtevaj ponudbo
Slovenija
4320272

JAN1N5618

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
132+
$7.713
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    JAN1N5618
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Vsebuje neusklajeno vodilo / RoHS
  • Podatkovni listi
  • ECAD model
  • Voltage - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Napetost - naprej (Vf) (Max) @ Če
    1A
  • Serija
    Military, MIL-PRF-19500/427
  • RoHS Status
    Bulk
  • Povratni čas obnovitve (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Odpornost @ Če, F
    -
  • Polarizacija
    A, Axial
  • Druga imena
    1086-2108
    1086-2108-MIL
  • Delovna temperatura - spoj
    2µs
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    8 Weeks
  • Številka izdelka proizvajalca
    JAN1N5618
  • Razširjen opis
    Diode Standard 600V 1A Through Hole
  • Konfiguracija diode
    500nA @ 600V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
  • Trenutna - povratna puščanja @ Vr
    1.3V @ 3A
  • Tok - Povprečna napetost (Io) (na diodo)
    600V
  • Capacitance @ Vr, F
    -65°C ~ 200°C
JAN1N5621

JAN1N5621

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
JAN1N5621US

JAN1N5621US

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5622

JAN1N5622

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5620US

JAN1N5620US

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5622US

JAN1N5622US

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5614US

JAN1N5614US

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5616

JAN1N5616

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5615

JAN1N5615

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
JAN1N5614

JAN1N5614

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5611

JAN1N5611

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5617

JAN1N5617

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5623

JAN1N5623

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5619

JAN1N5619

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5615US

JAN1N5615US

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
JAN1N5620

JAN1N5620

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
JAN1N5612

JAN1N5612

Opis: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi

Review (1)

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod