Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > APT47M60J
Zahtevaj ponudbo
Slovenija
876319APT47M60J image.Microsemi

APT47M60J

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$37.07
10+
$34.287
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    APT47M60J
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
  • ECAD model
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    ISOTOP®
  • Serija
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    90 mOhm @ 33A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    540W (Tc)
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    SOT-227-4, miniBLOC
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Chassis Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    13190pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    330nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    600V
  • natančen opis
    N-Channel 600V 49A (Tc) 540W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    49A (Tc)
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

Opis: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT47F60J

APT47F60J

Opis: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT45M100J

APT45M100J

Opis: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT4F120K

APT4F120K

Opis: MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT45GP120J

APT45GP120J

Opis: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT45GR65B

APT45GR65B

Opis: IGBT 650V 92A 357W TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT4M120K

APT4M120K

Opis: MOSFET N-CH 1200V 5A TO220

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT47N65SCS3G

APT47N65SCS3G

Opis: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT46GA90JD40

APT46GA90JD40

Opis: IGBT 900V 87A 284W SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT47N65BC3G

APT47N65BC3G

Opis: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT5010B2FLLG

APT5010B2FLLG

Opis: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT47GA60JD40

APT47GA60JD40

Opis: IGBT 600V 87A 283W SOT-227

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
APT48M80B2

APT48M80B2

Opis: MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT48M80L

APT48M80L

Opis: MOSFET N-CH 800V 48A TO-264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT47N60SC3G

APT47N60SC3G

Opis: MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT45GR65SSCD10

APT45GR65SSCD10

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT47N60BC3G

APT47N60BC3G

Opis: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT5010B2LLG

APT5010B2LLG

Opis: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi

Review (1)

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod