Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - IGBT - Posamezni > APT45GP120B2DQ2G
Zahtevaj ponudbo
Slovenija
1185993APT45GP120B2DQ2G image.Microsemi

APT45GP120B2DQ2G

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$22.11
10+
$20.448
30+
$18.79
120+
$17.463
270+
$16.026
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    APT45GP120B2DQ2G
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    IGBT 1200V 113A 625W TMAX
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
  • ECAD model
  • Napetost - razčlenitev kolektorjev kolektorja (maks.)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    3.9V @ 15V, 45A
  • Test Condition
    600V, 45A, 5 Ohm, 15V
  • Td (vklop / izklop) @ 25 ° C
    18ns/100ns
  • Preklop energije
    900µJ (on), 905µJ (off)
  • Serija
    POWER MOS 7®
  • Moč - maks
    625W
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-247-3 Variant
  • Druga imena
    APT45GP120B2DQ2GMI
    APT45GP120B2DQ2GMI-ND
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    32 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vrsta vnosa
    Standard
  • Vrsta IGBT
    PT
  • Gate Charge
    185nC
  • natančen opis
    IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole
  • Trenutni - impulzni kolektor (Icm)
    170A
  • Tok - zbiralec (Ic) (maks.)
    113A
APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT44F80B2

APT44F80B2

Opis: MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT47F60J

APT47F60J

Opis: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT45GR65B

APT45GR65B

Opis: IGBT 650V 92A 357W TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT43M60L

APT43M60L

Opis: MOSFET N-CH 600V 45A TO-264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT43M60B2

APT43M60B2

Opis: MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT43F60L

APT43F60L

Opis: MOSFET N-CH 600V 45A TO-264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT46GA90JD40

APT46GA90JD40

Opis: IGBT 900V 87A 284W SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT43GA90B

APT43GA90B

Opis: IGBT 900V 78A 337W TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT44GA60B

APT44GA60B

Opis: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT45GR65SSCD10

APT45GR65SSCD10

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT44GA60BD30

APT44GA60BD30

Opis: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT44F80L

APT44F80L

Opis: MOSFET N-CH 800V 44A TO-264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT43GA90BD30

APT43GA90BD30

Opis: IGBT 900V 78A 337W TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT44GA60BD30C

APT44GA60BD30C

Opis: IGBT 600V 78A 337W TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT45GP120J

APT45GP120J

Opis: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT45GP120BG

APT45GP120BG

Opis: IGBT 1200V 100A 625W TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT45M100J

APT45M100J

Opis: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

Opis: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi

Review (1)

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod