Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - IGBT - Posamezni > APT200GN60B2G
Zahtevaj ponudbo
Slovenija
5245175APT200GN60B2G image.Microsemi

APT200GN60B2G

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$23.88
10+
$22.092
30+
$20.301
120+
$18.868
270+
$17.315
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    APT200GN60B2G
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    IGBT 600V 283A 682W TO247
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
  • ECAD model
  • Napetost - razčlenitev kolektorjev kolektorja (maks.)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    1.85V @ 15V, 200A
  • Test Condition
    400V, 200A, 1 Ohm, 15V
  • Td (vklop / izklop) @ 25 ° C
    50ns/560ns
  • Preklop energije
    13mJ (on), 11mJ (off)
  • Serija
    -
  • Moč - maks
    682W
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-247-3
  • Druga imena
    APT200GN60B2GMI
    APT200GN60B2GMI-ND
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    18 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vrsta vnosa
    Standard
  • Vrsta IGBT
    Trench Field Stop
  • Gate Charge
    1180nC
  • natančen opis
    IGBT Trench Field Stop 600V 283A 682W Through Hole
  • Trenutni - impulzni kolektor (Icm)
    600A
  • Tok - zbiralec (Ic) (maks.)
    283A
APT18F60S

APT18F60S

Opis: MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT2012EC

APT2012EC

Opis:

Proizvajalci: Kingbright
Na zalogi
APT2012F3C

APT2012F3C

Opis: EMITTER IR 940NM 50MA 0805

Proizvajalci: Kingbright
Na zalogi
APT200GN60JDQ4G

APT200GN60JDQ4G

Opis: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT200GN60JDQ4

APT200GN60JDQ4

Opis: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT200GN60JG

APT200GN60JG

Opis: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT18M80S

APT18M80S

Opis: MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT2012LSECK/J4-PRV

APT2012LSECK/J4-PRV

Opis: LED ORANGE CLEAR 2SMD

Proizvajalci: Kingbright
Na zalogi
APT18M80B

APT18M80B

Opis: MOSFET N-CH 800V 19A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT19M120J

APT19M120J

Opis: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT2012LSECK/J3-PRV

APT2012LSECK/J3-PRV

Opis: LED RED CLEAR 2SMD

Proizvajalci: Kingbright
Na zalogi
APT17N80BC3G

APT17N80BC3G

Opis: MOSFET N-CH 800V 17A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT18M100B

APT18M100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT17NTR-G1

APT17NTR-G1

Opis:

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
APT18F60B

APT18F60B

Opis: MOSFET N-CH 600V 18A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT2012CGCK

APT2012CGCK

Opis:

Proizvajalci: Kingbright
Na zalogi
APT200GT60JR

APT200GT60JR

Opis: IGBT 600V 195A ISOTOP

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT200GN60J

APT200GN60J

Opis: IGBT 600V 283A 682W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT19F100J

APT19F100J

Opis: MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT17N80SC3G

APT17N80SC3G

Opis: MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi

Review (1)

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod