Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - IGBT - Posamezni > APT11GF120KRG
Zahtevaj ponudbo
Slovenija
5169524

APT11GF120KRG

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    APT11GF120KRG
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    IGBT 1200V 25A 156W TO220
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
  • ECAD model
  • Napetost - razčlenitev kolektorjev kolektorja (maks.)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    3V @ 15V, 8A
  • Test Condition
    800V, 8A, 10 Ohm, 15V
  • Td (vklop / izklop) @ 25 ° C
    7ns/100ns
  • Preklop energije
    300µJ (on), 285µJ (off)
  • Paket naprave za dobavitelja
    TO-220 [K]
  • Serija
    -
  • Moč - maks
    156W
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-220-3
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vrsta vnosa
    Standard
  • Vrsta IGBT
    NPT
  • Gate Charge
    65nC
  • natančen opis
    IGBT NPT 1200V 25A 156W Through Hole TO-220 [K]
  • Trenutni - impulzni kolektor (Icm)
    44A
  • Tok - zbiralec (Ic) (maks.)
    25A
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Opis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Opis: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Opis: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

Opis: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Opis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT12057JLL

APT12057JLL

Opis: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT12057B2LLG

APT12057B2LLG

Opis: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT12031JFLL

APT12031JFLL

Opis: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

Opis: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT11F80B

APT11F80B

Opis: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT12057B2FLLG

APT12057B2FLLG

Opis: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
APT1201R4BFLLG

APT1201R4BFLLG

Opis: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT1204R7KFLLG

APT1204R7KFLLG

Opis: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT1204R7BFLLG

APT1204R7BFLLG

Opis: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT11F80S

APT11F80S

Opis: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Opis: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

Opis: IGBT 600V 41A 187W TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi

Review (1)

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod