Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > APT10M07JVR
Zahtevaj ponudbo
Slovenija
3924033

APT10M07JVR

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    APT10M07JVR
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
  • ECAD model
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    ISOTOP®
  • Serija
    POWER MOS V®
  • Odmik moči (maks.)
    700W (Tc)
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    SOT-227-4, miniBLOC
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Chassis Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    21600pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1050nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    100V
  • natančen opis
    N-Channel 100V 225A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    225A (Tc)
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Opis: IGBT 600V 183A 780W TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Opis: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Opis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Opis: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT102GA60L

APT102GA60L

Opis: IGBT 600V 183A 780W TO264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Opis: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Opis: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Opis: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Opis: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Opis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT100S20BG

APT100S20BG

Opis: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Opis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT100M50J

APT100M50J

Opis: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Opis: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Opis: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi

Review (1)

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod