Domov > Izdelki > Integrirana vezja (ICS) > Spomin > EDB4416BBBH-1DIT-F-R
Zahtevaj ponudbo
Slovenija
5043226

EDB4416BBBH-1DIT-F-R

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1000+
$9.975
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    EDB4416BBBH-1DIT-F-R
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
  • ECAD model
  • Čas cikla pisanja -
    -
  • Napetost - oskrba
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Tehnologija
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Serija
    -
  • delovna temperatura
    -40°C ~ 85°C (TC)
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Vrsta pomnilnika
    Volatile
  • Velikost pomnilnika
    4Gb (256M x 16)
  • Pomnilniški vmesnik
    Parallel
  • Format pomnilnika
    DRAM
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • natančen opis
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 533MHz
  • Frekvenca ure
    533MHz
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB4416BBBH-1DIT-F-D

EDB4416BBBH-1DIT-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB4064B3PD-8D-F-D

EDB4064B3PD-8D-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 240FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB4064B4PB-1DIT-F-D

EDB4064B4PB-1DIT-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR

EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB4064B4PB-1DIT-F-R

EDB4064B4PB-1DIT-F-R

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB4064B4PB-1D-F-R TR

EDB4064B4PB-1D-F-R TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB4432BBBJ-1D-F-R

EDB4432BBBJ-1D-F-R

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB4432BBBH-1D-F-R TR

EDB4432BBBH-1D-F-R TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB4064B3PP-1D-F-D

EDB4064B3PP-1D-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 240FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR

EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR

EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB4432BBBH-1D-F-D

EDB4432BBBH-1D-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB4064B4PB-1D-F-D

EDB4064B4PB-1D-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB4432BBBJ-1D-F-D

EDB4432BBBJ-1D-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi
EDB4064B3PB-8D-F-D

EDB4064B3PB-8D-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 216FBGA

Proizvajalci: Micron Technology
Na zalogi

Review (1)

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod