Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - FETs, MOSFETs - Arrays > MP6M11TCR
Zahtevaj ponudbo
Slovenija
4823563MP6M11TCR image.LAPIS Semiconductor

MP6M11TCR

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    MP6M11TCR
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
  • ECAD model
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Paket naprave za dobavitelja
    MPT6
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    98 mOhm @ 3.5A, 10V
  • Moč - maks
    2W
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    6-SMD, Flat Leads
  • Druga imena
    MP6M11TCRTR
  • delovna temperatura
    150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    85pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.9nC @ 5V
  • Vrsta FET
    N and P-Channel
  • Funkcija FET
    Logic Level Gate
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    30V
  • natančen opis
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A 2W Surface Mount MPT6
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    3.5A
  • Številka osnovnega dela
    *M11
MP6M12TCR

MP6M12TCR

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
MP6KE8.2AE3

MP6KE8.2AE3

Opis: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
MP6KE82AE3

MP6KE82AE3

Opis: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
MP6KE91CAE3

MP6KE91CAE3

Opis: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
MP6Z13TR

MP6Z13TR

Opis: TRANS NPN/PNP 50V 3A 6MPT

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
MP6KE9.1AE3

MP6KE9.1AE3

Opis: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
MP6KE82CAE3

MP6KE82CAE3

Opis: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
MP6KE82A

MP6KE82A

Opis: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
MP6KE75CAE3

MP6KE75CAE3

Opis: TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
MP6KE8.2CA

MP6KE8.2CA

Opis: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
MP6M14TCR

MP6M14TCR

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
MP6KE9.1CAE3

MP6KE9.1CAE3

Opis: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
MP6KE91AE3

MP6KE91AE3

Opis: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
MP6KE8.2CAE3

MP6KE8.2CAE3

Opis: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
MP6KE9.1A

MP6KE9.1A

Opis: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
MP6KE91CA

MP6KE91CA

Opis: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
MP6KE9.1CA

MP6KE9.1CA

Opis: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
MP6KE82CA

MP6KE82CA

Opis: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
MP6KE8.2A

MP6KE8.2A

Opis: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
MP6KE91A

MP6KE91A

Opis: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi

Review (1)

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod