Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > DMJ70H600SH3
Zahtevaj ponudbo
Slovenija
1185594

DMJ70H600SH3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
75+
$1.667
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    DMJ70H600SH3
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Vsebuje skladno s svinecem / RoHS
  • Podatkovni listi
  • ECAD model
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    TO-251
  • Serija
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600 mOhm @ 2.4A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    113W (Tc)
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-251-3, IPak, Short Leads
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    8 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    643pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18.2nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    700V
  • natančen opis
    N-Channel 700V 11A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-251
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    11A (Tc)
DMJ70H601SV3

DMJ70H601SV3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

Opis: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
IXTK40P50P

IXTK40P50P

Opis: MOSFET P-CH 500V 40A TO-264

Proizvajalci: IXYS Corporation
Na zalogi
DMJ70H1D3SI3

DMJ70H1D3SI3

Opis: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
Proizvajalci: DIODES INC
Na zalogi
DMJT9435-13

DMJT9435-13

Opis:

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

Opis: MOSFET N-CH TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
ZVP2120ASTZ

ZVP2120ASTZ

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
SQD90P04-9M4L_GE3

SQD90P04-9M4L_GE3

Opis: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
APT12M80B

APT12M80B

Opis: MOSFET N-CH 800V 13A TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
DMJ70H601SK3-13

DMJ70H601SK3-13

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
DMJ2833-000

DMJ2833-000

Opis: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Proizvajalci: Skyworks Solutions, Inc.
Na zalogi
DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

Opis: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
DMJ70H1D0SV3

DMJ70H1D0SV3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13

Opis: MOSFET N-CH 700V 3.9A

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
IPS04N03LB G

IPS04N03LB G

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
FDS7066N7

FDS7066N7

Opis: MOSFET N-CH 30V 23A 8-SOIC

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
FDMS2504SDC

FDMS2504SDC

Opis: MOSFET N-CH 25V 42A POWER56

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi

Review (1)

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod